半導体プロセス材料

近年、身近なデジタル製品（パソコン、携帯電話など）の高性能化は、それら製品の心臓部に当たる半導体LSIの微細化により顕著な発展を遂げている。微細化比を1/kとすると、集積度はk²、消費電力は1/k²、応答遅延時間は1/kとなり、微細化により半導体LSI性能が飛躍的に向上する。この微細化を実現する基本技術はリソグラフィー技術（図1）である。リソグラフィー技術とは紫外線などの光源を用いて微細パターンを形成する技術であり、その光源に感光性を有する化学増幅型フォトレジストの開発が半導体プロセス材料分野の市場より要求されている。

【図1】微細化を実現するリソグラフィー技術

微細化の流れは、主に露光波長の短波化（436→365→248→193nm）により支えられてきた。現在の露光波長は193nmで、さらにその光学コントラストを高める手段として露光レンズとレジスト膜の間に水を浸して露光を行う液浸露光技術（下図）が実用レベルに到達し、量産適用が開始されている。当社所有の液浸露光機で形成した44nmのラインパターンを下図に示す。このライン寸法は露光波長193nmの23％に相当しており、まさに露光波長限界を超えたものとなっている。

（図2）液浸露光機で形成した44nmのラインパターン

これら微細化技術の進歩は目覚しく、更なる高性能を実現するためにはフォトレジスト構成材料（図3）であるポリマー分子や光酸発生剤の高機能化設計がキーとなる。

【図3】化学増幅型フォトレジスト（ポジ型）の主要構成素材と画像形成概構

現在、有機化学分野でナノオーダー世界を制御する世界No.1技術開発力を目指し、処方設計技術･合成技術･解析技術･シミュレーション技術部門が一体となって商品開発を進めている。