富士フイルム株式会社（社長：古森 重隆）は、他社に先駆けて平成18年に45nm世代*1対応のトップコート（保護膜）が不要なArF液浸レジスト「FAiRS-9000シリーズ」を開発し、同年よりサンプルを提供しております。今後、大手半導体メーカーでの45nm世代の量産開始に向けて、最新の「ArF液浸露光装置」を導入し、さらなる開発の充実を図ることで、最先端ArFレジスト事業をさらに拡大してまいります。

富士フイルムの「FAiRS-9000シリーズ」は、リソグラフィー性能のみならず、パターン欠陥の大幅な低減等により、半導体メーカーにて次世代の半導体製造プロセス用として最高レベルの評価をいただいております。今後「ArF液浸露光装置」を活用し、45nm世代に続き32nm世代でも最高品質の次世代半導体用レジストを開発してまいります。

「ArF液浸露光装置」は、45nm・32nm世代のArF液浸リソグラフィープロセス*2に対応しており、研究開発拠点であるエレクトロニクスマテリアルズ研究所（静岡県榛原郡吉田町）に導入します。「ArF液浸露光装置」に併せて「塗布現像機」も導入し、液浸レジストの一貫評価を可能にすることで、顧客のニーズに一層迅速に対応できるようにいたします。

ArF液浸リソグラフィー技術は、回路パターンを二分割して形成する「ダブルパターニングプロセス」*3等の適用により、さらに微細化が進む32nm世代の半導体デバイスの回路パターン形成への採用も有望視されています。富士フイルムは、32nm以降の世代においても簡素なプロセスで低コスト・高生産性を実現できる材料の開発を強化していきます。

富士フイルムは、半導体材料分野を成長事業の一つと位置付け、トップシェア獲得に向けて取り組んでいます。今後も半導体産業のさらなる発展に貢献する研究開発を進め、顧客に最高品質の次世代液浸レジストを供給してまいります。